1. MMBTA70LT1G
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厂商型号

MMBTA70LT1G 

产品描述

Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

277-MMBTA70LT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#2

数量:0
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美国费城
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MMBTA70LT1G产品详细规格

规格书 MMBTA70LT1G datasheet 规格书
MMBTA70LT1G datasheet 规格书
MMBTA70LT1
文档 Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire 19/May/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 5mA, 10V
功率 - 最大 225mW
频率转换 125MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 40@5mA@10V
最大工作频率 125(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@1mA@10mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大基地发射极电压 4
Maximum Transition Frequency 125(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 300
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 40
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 125MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MMBTA70LT1GOSCT
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.25 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 4 V
直流集电极/增益hfe最小值 40 at 5 mA at 10 V
增益带宽产品fT 125 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 40 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 4 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 0.1 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 4 V
频率 125 MHz
功率耗散 0.3 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 40
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.1 A
直流电流增益 40

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